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Vishay推出新款850nm红外发射器无源器件分立半导体万芳

发布时间:2020-02-14 12:14:25 阅读: 来源:礼品盒厂家

Vishay推出新款850 nm红外发射器 - 无源器件/分立半导体 - 电子工程网

Vishay发布采用小尺寸3.85mm x 3.85mm x 2.24mm顶视SMD封装的新款850nm红外发射器--- VSMY98545,扩大其光电子产品组合。VSMY98545基于SurfLight表面发射器芯片技术,集成镜片,具有高驱动电流、高发光强度和高光功率,同时具有低热阻。

VSMY98545使用42mil x 42mil发射器芯片,结到管脚的热阻为10K/W,驱动电流高达1A,脉冲电流可达5A。发射器集成的镜片支持±45°的半强角,在1A和5A(脉冲)电流下可实现350mW/sr和1600mW/sr的超高发光强度,超过无镜片器件的发光强度两倍以上。

由于具有极高的驱动电流,并且在1A下的光功率达660mW,VSMY98545可以替代多个标准SMD器件,使设计者能够减少元器件数量,并在各种各样的应用中提高性能。发射器适用于CCTV、游戏和公路收费系统中的红外照明,以及长距离的测距应用,比如通过探测周围是否有人,来实现办公设备里的唤醒功能。

今天推出的器件的开关速度低至15ns,在1A下的正向压降为1.8V,工作温度从-40℃到+95℃。VSMY98545的仓储寿命为168小时,潮湿敏感度等级(MSL)为3,符合J-STD-020。器件可采用无铅回流焊,符合RoHS和Vishay绿色标准,无卤素。

新的VSMY98545现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为八周到十周。

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